Рубрики
Свежие комментарии

Архив рубрики «Транзисторы и интегральные микросхемы»

При экс­плу­а­та­ции полу­про­вод­ни­ко­вых при­бо­ров (дио­дов, тран­зи­сто­ров, ин­тегральных мик­ро­схем) прежде всего необ­хо­димо соблю­дать поляр­ность подво­димых к их выво­дам напря­же­ний. Тран­зи­сторы, име­ю­щие струк­туру р-n-р, должны иметь отри­ца­тель­ный потен­циал на кол­лек­торе по отно­ше­нию к эмитте­ру и базе. Потен­циал базы в схеме вклю­че­ния тран­зи­стора с общим эмит­те­ром (ОЭ) дол­жен быть отри­ца­тель­ным по отно­ше­нию к эмит­теру. Тран­зи­сторы, имею­щие n-р-n-структуру, должны иметь поло­жи­тель­ный потен­циал на кол­лек­торе и базе по отно­ше­нию к эмит­теру. Потен­циал базы в схеме вклю­че­ния с ОЭ для этого типа тран­зи­сто­ров дол­жен быть положительный.

Для пра­виль­ного выбора и исполь­зо­ва­ния полу­про­вод­ни­ко­вых дио­дов раз­личных участ­ках схемы необ­хо­димо знать их основ­ные параметры.

Инте­граль­ные мик­ро­схемы пред­став­ляют собой мик­ро­элек­трон­ные при­боры, состо­я­щие из актив­ных эле­мен­тов (тран­зи­сто­ров, дио­дов) и пас­сив­ных элемен­тов (в основ­ном рези­сто­ров). Мик­ро­схемы клас­си­фи­ци­ру­ются по технологиче­ским прин­ци­пам их изго­тов­ле­ния и их функ­ци­о­наль­ному назначению.

Полу­про­вод­ни­ко­вый диод пред­став­ляет собой элек­тро­пре­об­ра­зо­ва­тель­ный при­бор, име­ю­щий элек­три­че­ский пере­ход между двумя обла­стями, полупровод­ника, одна из кото­рых имеет про­во­ди­мость типа n, а дру­гая — типа р. В зави­симости от кон­струк­ции кон­такта между этими обла­стями, т. е. от типа перехо­да, диоды под­раз­де­ля­ются на плос­кост­ные — с плос­кост­ным пере­хо­дом, и точеч­ные — с точеч­ным переходом.